销售单价： 1+ ￥8.993232
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自营
IRF640
N沟道 200V 18A
品牌：Slkor
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥4.021235
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IRF640
N沟道18A 200V
品牌：minos
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥2.011711
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IRF640
N沟道 耐压:200V 电流:18A
品牌：GOODWORK
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥2.47164
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销售单价： 10+ ￥3.516427
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销售单价： 50+ ￥2.181759
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销售单价： 10+ ￥3.473003
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IRF640
IRF640 SLKOR(萨科微)
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 250+ ￥3.000564
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IRF640
IRF640 SLKOR/萨科微
品牌：Slkor
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 50+ ￥2.236532
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IRF640
IRF640 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 10+ ￥3.757913
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IRF640
IRF640 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥3.814258
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IRF640
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | MESH OVERLAY™ |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 180 毫欧 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 72 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1560 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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