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IAUT165N08S5N029ATMA2
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 80V, HSOF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, HSOF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 165 A, HSOF-8., 贴片安装, 8引脚, IAUT165N08S5N029ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 165 A, HSOF-8., 贴片安装, 8引脚, IAUT165N08S5N029ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IAUT165N08S5N029ATMA2
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 165A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.9 毫欧 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.8V 108µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 90 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6370 pF 40 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 167W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-HSOF-8-1 |
| 封装/外壳: | 8-PowerSFN |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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