IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9952TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 30V, 3.5A, SOIC-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Days to ship 9
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Days to ship 8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
MOSFET, N & P CH, 30V, 3.5A, SOIC-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9952TRPBF
Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A,3.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.5A,2.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 100 毫欧 2.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 190pF 15V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00