IXFN32N120P

自营

IXFN32N120P

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥780.207078
最低起订

自营

IXFN32N120P

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥505.590098
最低起订

DigiKey

IXFN32N120P

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥897.047136
最低起订

Mouser

IXFN32N120P

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1163.340864
最低起订

艾睿

IXFN32N120P

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 32A 4-Pin SOT-227B

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥888.635147
最低起订

IXFN32N120P

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 310 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 360 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 21000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1000W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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