IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF

MOSFETs 100V 45A N-Channel TO252-3 136.4W

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.079229
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFETs 100V 45A N-Channel TO252-3 136.4W

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.877405
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥12.61425
最低起订

自营

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.036852
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.62462
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES/IR

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥11.945817
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 20+ ¥3.858869
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

IRFR3710ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

品牌:JSMSEMI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥2.218861
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.294557
最低起订

自营

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥5.836368
最低起订

DigiKey

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥14.277302
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥31.718445
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥31.718445
最低起订

Mouser

IRFR3710ZTRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥36.889109
最低起订

艾睿

IRFR3710ZTRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥15.171729
最低起订

IRFR3710ZTRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 33A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 100 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2930 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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