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自营
销售单价： 1+ ￥2.36029
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DigiKey
销售单价： 1+ ￥10.097076
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Mouser
销售单价： 1+ ￥10.944748
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艾睿
IRF9Z34NPBF
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥10.035803
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IRF9Z34NPBF
Single P-Channel 55 V 0.1 Ohm 35 nC HEXFET Power Mosfet - TO-220-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 50+ ￥4.125722
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IRF9Z34NPBF
Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 19 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRF9Z34NPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥7.56436
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IRF9Z34NPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 19A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100mOhm 10A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 620 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 68W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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