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IMW120R350M1HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 4.7A, 175度 C, 60W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 4.7A, 175DEG C, 60W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管 IMW1系列, Vds=1200 V, 4.7 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
Infineon N沟道增强型MOS管 IMW1系列, Vds=1200 V, 4.7 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IMW120R350M1HXKSA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolSiC™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V，18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 455 毫欧 2A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.7V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5.3 nC 18 V |
| Vgs（最大值）: | +23V，-7V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 182 pF 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00