销售单价： 1+ ￥10.325414
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自营
销售单价： 1+ ￥8.075253
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销售单价： 1+ ￥9.25287
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自营
销售单价： 2000+ ￥3.741004
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DigiKey
销售单价： 2000+ ￥9.151487
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销售单价： 1+ ￥22.145761
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销售单价： 1+ ￥22.145761
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Mouser
销售单价： 1+ ￥24.335961
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艾睿
IRFR3411TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥20.582739
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IRFR3411TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 32 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR3411TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 20+ ￥8.385862
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IRFR3411TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 32 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR3411TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 20+ ￥8.385862
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IRFR3411TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 44 毫欧 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 71 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1960 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 130W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D-Pak |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00