IMW120R090M1HXKSA1

IMW120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥80.6344
最低起订

自营

IMW120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥86.138409
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DigiKey

IMW120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥148.846883
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Mouser

IMW120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥174.466955
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艾睿

IMW120R090M1HXKSA1

1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥171.353753
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IMW120R090M1HXKSA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 117 毫欧 8.5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.7V 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 18 V
Vgs(最大值): +23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 707 pF 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 115W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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