自营
IPD30N10S3L34ATMA1
IPD30N10S3L34ATMA1 UDU SEMICONDUTOR
品牌：UDU SEMICONDUTOR
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
IPD30N10S3L34ATMA1 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IPD30N10S3L34ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 0.0258Ω, 30A, TO-252
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Single N-Channel 100 V 31 mOhm 31 nC OptiMOS Power Mosfet - TO-252-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Single N-Channel 100 V 31 mOhm 31 nC OptiMOS Power Mosfet - TO-252-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-252-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 30 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 30 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD30N10S3L34ATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 31 毫欧 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V 29µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1976 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 57W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-11 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00