自营
NTD2955T4G
NTD2955T4G
品牌：TECH PUBLIC
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
NTD2955T4G
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 12A, TO-252-4
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
Single P-Channel 60 V 0.18 Ohm 30 nC 55 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
MOSFET, P CH, -60V, 12A, TO-252-4
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 12 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NTD2955T4G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 12 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NTD2955T4G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD2955T4G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 180 毫欧 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 30 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 750 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 55W（Tj） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00