自营
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G
品牌：TECH PUBLIC
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
品牌：UMW
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
MOS管
品牌：UMW
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G BYCHIP/百域芯
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
NTD20N06LT4G
NTD20N06LT4G UMW/友台半导体
品牌：UMW
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
NTD20N06LT4G
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD20N06LT4G
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD20N06LT4G
场效应管, N沟道, MOSFET, 60V, 20A, D-PAK
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD20N06LT4G
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTD20N06LT4G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 48 毫欧 10A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 32 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 990 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.36W（Ta），60W（Tj） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00