NVBG020N120SC1

NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥927.56664
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自营

NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥324.539919
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DigiKey

NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥904.782801
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NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1168.717772
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NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1168.717772
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NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥529.854926
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NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥747.032364
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NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥747.032364
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Mouser

NVBG020N120SC1

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥809.742678
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艾睿

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥579.17726
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NVBG020N120SC1

场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 98A, TO-263

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥710.877094
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NVBG020N120SC1

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥308.495011
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NVBG020N120SC1

MOSFET, N-CH, 1.2KV, 98A, TO-263

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥753.07615
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NVBG020N120SC1

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 98 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥379.35106
最低起订

NVBG020N120SC1

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 98 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 200+ ¥367.960364
最低起订

NVBG020N120SC1

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.6A(Ta),98A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28毫欧 60A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.3V 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 20 V
Vgs(最大值): +25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2943 pF 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.7W(Ta),468W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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