NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
品牌:ON
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 98A, TO-263
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 98A, TO-263
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 98 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NVBG020N120SC1
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 98 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 7引脚
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.6A(Ta),98A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 28毫欧 60A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.3V 20mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 220 nC 20 V |
Vgs(最大值): | +25V,-15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2943 pF 800 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.7W(Ta),468W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK-7 |
封装/外壳: | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00