NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
NTZD3155CT1G
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
NTZD3155CT1G
场效应管, MOSFET, N/P沟道, 20V, SOT-563
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTZD3155CT1G
Days to ship 9
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTZD3155CT1G
Days to ship 8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTZD3155CT1G
Dual N & P-Channel 20 V 0.4/0.5 mOhm 250 mW Small Signal MOSFET - SOT-563
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTZD3155CT1G
MOSFET, NP CH, 20V, SOT-563
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 540mA,430mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 550 毫欧 540mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.5nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 150pF 16V |
功率 - 最大值: | 250mW |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装: | SOT-563 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00