自营
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 15V, 112A, TO-263S
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 112A, 175度 C, 477W
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
MOSFET, N-CH, 900V, 112A, 175DEG C, 477W
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTBG020N090SC1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss）: | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.8A（Ta），112A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 28 毫欧 60A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.3V 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 200 nC 15 V |
| Vgs（最大值）: | +19V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4415 pF 450 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.7W（Ta），477W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00