NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 15V, 112A, TO-263S
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
场效应管, MOSFET, N沟道, 900V, 112A, 175度 C, 477W
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
SIC MOSFET, N-CH, 15V, 112A, TO-263
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTBG020N090SC1
MOSFET, N-CH, 900V, 112A, 175DEG C, 477W
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 900 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.8A(Ta),112A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 28 毫欧 60A,15V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.3V 20mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 200 nC 15 V |
Vgs(最大值): | +19V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4415 pF 450 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.7W(Ta),477W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK-7 |
封装/外壳: | TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00