NTZD5110NT1G

自营

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥0.612686
最低起订

DigiKey

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥1.058719
最低起订

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.735099
最低起订

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.735099
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Mouser

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.227885
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艾睿

NTZD5110NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 4000+ ¥1.032638
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NTZD5110NT1G

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 294mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.6 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24.5pF 20V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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