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NSS60200LT1G
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
Trans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
晶体管, PNP, -60V, -2A, SOT-23-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
NSS60200L Series 60 V 2 A Surface Mount Low VCE PNP Transistor - SOT-23-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
TRANSISTOR, PNP, -60V, -2A, SOT-23-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
onsemi PNP晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-2 A, 最大集电极-发射电压-60 V
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
onsemi PNP晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-2 A, 最大集电极-发射电压-60 V
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NSS60200LT1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 220mV 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 150 500mA，2V |
| 功率 - 最大值: | 460 mW |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00