NDS332P

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥3.420186
最低起订

自营

NDS332P

P沟道 20V 5A

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥0.467207
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥2.050175
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.387386
最低起订

NDS332P

NDS332P UDU SEMICONDUTOR

品牌:UDU SEMICONDUTOR

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.256357
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.165382
最低起订

NDS332P

NDS332P VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥0.278148
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥2.83821
最低起订

NDS332P

NDS332P VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 200+ ¥0.273826
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.459661
最低起订

NDS332P

NDS332P JSMICRO/深圳杰盛微

品牌:JSMSEMI

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.242418
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 30+ ¥4.726551
最低起订

自营

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.909261
最低起订

DigiKey

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.224293
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.572291
最低起订

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.572291
最低起订

Mouser

NDS332P

MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.693584
最低起订

NDS332P

Days to ship 8

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥3.121704
最低起订

NDS332P

MOSFET, P, SMD, SSOT-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥4.618665
最低起订

NDS332P

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 5 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 195 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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货期:1-2天

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