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艾睿
NTHD4P02FT1G
Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥8.251331
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NTHD4P02FT1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.2A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 155 毫欧 2.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 300 pF 10 V |
| FET 功能: | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值）: | 1.1W（Tj） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | ChipFET™ |
| 封装/外壳: | 8-SMD，扁平引线 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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