QS8K13TCR

自营

QS8K13TCR

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.955672
最低起订

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MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.502899
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自营

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MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.857893
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DigiKey

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MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥6.666427
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QS8K13TCR

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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Mouser

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品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.031662
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QS8K13TCR

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Standard
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 28mOhm 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390pF 10V
功率 - 最大值: 550mW
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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