RJP020N06T100
RJP020N06T100 VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
RJP020N06T100
RJP020N06T100 VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
RJP020N06T100
RJP020N06T100 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
RJP020N06T100
RJP020N06T100 VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
RJP020N06T100
RJP020N06T100 JSMICRO/深圳杰盛微
品牌:JSMSEMI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
RJP020N06T100
MOSFETs N-CH 60V 2.5A
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 2A, SOT-89
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
Days to ship 3
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
N-CHannel 60 V 300 m? 500 mW Surface Mount Power Mosfet - MPT-3
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
N-CHannel 60 V 300 m? 500 mW Surface Mount Power Mosfet - MPT-3
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
RJP020N06T100
MOSFET,N CH,60V,2A,SOT-89
品牌:ROHM
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 240 毫欧 2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10 nC 4 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 160 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | MPT3 |
封装/外壳: | TO-243AA |
温度: | 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00