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SIZ260DT-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
品牌：Vishay
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHANNEL 80-V PowerPAIR 3 x 3S
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
场效应管, MOSFET, 双 N沟道, 80V, 24.7A, 150度 C
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 80V, 24.7A, 150DEG C
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
Vishay N沟道MOS管, Vds=80 V, 8.9 A, PowerPAIR 3 x 3S封装, 表面贴装
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
Vishay N沟道MOS管, Vds=80 V, 8.9 A, PowerPAIR 3 x 3S封装, 表面贴装
品牌：VISHAY
库存：0
货期： 7~10工作日
SIZ260DT-T1-GE3
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 包装: | 管件,剪切带（CT） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | E |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 950 毫欧 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 22.5 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 422 pF 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 30W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 整包 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00