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TK11A65W,S5X
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | DTMOSIV |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 390 毫欧 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V 450µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 25 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 890 pF 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 35W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220SIS |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | 150°C（TJ） |
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供货：锐单
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