TK7P60W5,RVQ

自营

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

品牌:Toshiba

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥4.174049
最低起订

DigiKey

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2000+ ¥10.210827
最低起订

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.084818
最低起订

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 34+ ¥5.686337
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Mouser

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
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艾睿

TK7P60W5,RVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥22.910381
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TK7P60W5,RVQ

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: DTMOSIV
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 670 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 16 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 490 pF 300 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 60W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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