TPH2900ENH,L1Q

自营

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

品牌:Toshiba

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5000+ ¥8.569938
最低起订

DigiKey

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5000+ ¥14.808824
最低起订

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥33.500377
最低起订

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥33.500377
最低起订

Mouser

TPH2900ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥36.870833
最低起订

艾睿

TPH2900ENH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5000+ ¥12.520517
最低起订

TPH2900ENH,L1Q

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: U-MOSVIII-H
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2200 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 78W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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货期:1-2天

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