US6M2GTR

自营

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.086799
最低起订

自营

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.774718
最低起订

DigiKey

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.066708
最低起订

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.099467
最低起订

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.099467
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Mouser

US6M2GTR

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.139428
最低起订

US6M2GTR

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A,1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 240 毫欧 1.5A,4.5V,390 毫欧 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA,2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.2nC 4.5V,2.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 80pF 10V,150pF 10V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TUMT6
温度: 150°C

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

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