ZXMHC6A07N8TC
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
品牌:Diodes Zetex
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货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
场效应管, MOSFET, P/N沟é“, 60V, 1.39A
品牌:DIODES
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货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
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品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
Quad N/P-Channel 60 V 0.35/0.60 Ohm 3.2/5.1 nC 0.87 mW Silicon Mosfet SOIC-8
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET, P/N-CH, 60V, 1.39A
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC6A07N8TC
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
ZXMHC6A07N8TC
DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC6A07N8TC
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.39A,1.28A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 250 毫欧 1.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.2nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 166pF 40V |
功率 - 最大值: | 870mW |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
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