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ZXMN3A04DN8TA
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 毫欧 12.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 36.8nC 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1890pF 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.81W |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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