FMMT5179TA和PN5179的区别_FMMT5179TA代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RFNPN晶体管RF NPN RF Transistor射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 -

额定电压(DC) 12.0 V 12.0 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

耗散功率 330 mW 350 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V -

增益 15 dB 15 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @3mA, 1V 25 @3mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) 25 @3mA, 1V 250 -

额定功率(Max) 330 mW 350 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 0.05A - -

长度 3.05 mm 4.7 mm -

宽度 1.4 mm 3.93 mm -

高度 1 mm 5.33 mm -

封装 SOT-23-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -