BUK7575-100A和STP24NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7575-100A STP24NF10 IRL540PBF

描述 NXP  BUK7575-100A  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 75 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 VVISHAY  IRL540PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 77 mohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-78 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 23.0 A 26.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.055 Ω 0.077 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 99 W 85 W 150 W

阈值电压 3 V 3 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 26.0 A 28.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定功率 - 85 W -

通道数 - 1 -

输入电容 - 870 pF -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) - 870pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 85 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 85W (Tc) -

封装 SOT-78 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Unknown Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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