R1LP0108ESA-5SI#B0和R1LP0108ESA-5SI#S0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LP0108ESA-5SI#B0 R1LP0108ESA-5SI#S0 R1LP0108ESA-5SI#B1

描述 低功率 SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin TSOP-I T/R静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 5V STSOP32 55NS -40TO85C

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 TSOP-32 TSOP-32 SOP-32

安装方式 Surface Mount - -

位数 8 8 -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 1 MHz - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOP-32 TSOP-32 SOP-32

长度 11.9 mm - -

宽度 8.1 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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