R1LP0108ESA-5SI#B0

低功率 SRAM，R1LP 系列，Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，R1LP 系列，

R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 4.5V 至 5.5V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP

欧时:
Renesas Electronics R1LP0108ESA-5SI#B0, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装

贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb 5V Adv. 静态随机存取存储器 x8, sTSOP, 55NS, Tray

艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray

Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I Tray