KSE45H8和KSE45H8TU

对比图

型号 KSE45H8 KSE45H8TU 2N6476LEADFREE

描述 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 PinTrans GP BJT PNP 60V 10A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailTO-220 PNP 120V 4A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220-3 TO-220

频率 - 40 MHz -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -8.00 A -

极性 - PNP PNP

耗散功率 - 1.67 W -

增益频宽积 - 40 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 120 V

集电极最大允许电流 - 10A 4A

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 1V -

额定功率(Max) - 1.67 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1670 mW -

长度 - 10.1 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 - TO-220-3 TO-220

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -