STW25N95K3和STW6N120K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW25N95K3 STW6N120K3 STW13N95K3

描述 STMICROELECTRONICS  STW25N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 950 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.32 Ω 1.95 Ω 0.68 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 400 W 150 W 190 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 950 V 1200 V 950 V

连续漏极电流(Ids) - 6A 10A

输入电容(Ciss) 3680pF @100V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 1620pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 400 W 150 W 190 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc)

上升时间 29 ns - 16 ns

下降时间 59 ns - 21 ns

长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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