对比图
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V
额定电流 - 12.0 A 12.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 150 mΩ 0.1 Ω
耗散功率 - 48 W 48 W
阈值电压 - - 1.6 V
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 12.0 A 12.0 A
上升时间 - - 190 ns
输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) 570pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 48 W 48 W
下降时间 - - 90 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - 48W (Tc) 48W (Tc)
极性 - N-Channel -
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 16.51 mm
封装 - TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Rail Rail, Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -