对比图
型号 IRGR4607DTRPBF IRGR4607DTRRPBF IRGR4607DTRLPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 58000 mW 58000 mW 58000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 48 ns 48 ns 48 ns
额定功率(Max) 58 W 58 W 58 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 58000 mW 58000 mW 58000 mW
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free