对比图
型号 IPU60R1K0CEAKMA1 IPU60R1K0CEAKMA2 IPU60R1K0CEBKMA1
描述 Mosfet n-Ch 600V To-251-3N沟道 600V 4.3ATO-251 N-CH 600V 4.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 1 Ω
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 61W (Tc) 37 W
阈值电压 - - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - 4.3A 4.3A
上升时间 8 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns 13 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 37000 mW 61W (Tc) 37W (Tc)
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 2.38 mm
高度 - - 6.22 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free