JAN1N5811US和JANS1N5811US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5811US JANS1N5811US JANTX1N5811US

描述 Diode Switching 150V 6A 2Pin E-MELFDiode Switching 150V 6A 2Pin E-MELFDiode Switching 150V 6A 2Pin MELF-B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 2

封装 E-MELF E-MELF MELF-B

正向电压 875mV @4A 0.875 V 0.875 V

反向恢复时间 30 ns 30 ns 30 ns

正向电流 6000 mA 6000 mA -

正向电流(Max) 6 A 6 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压(Max) 875mV @4A - -

封装 E-MELF E-MELF MELF-B

高度 - - 3.8 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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