对比图
描述 N沟道TO-92-3封装场效应管小信号N沟道TO-92-3封装场效应管小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92 TO-92-3 TO-92-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 250 mA 250 mA 250 mA
漏源极电阻 6.40 Ω 6.40 Ω 8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 mW 350 mW 350 mW
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 250 mA
输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 350 mW 350 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 350mW (Ta) 350mW (Ta)
额定功率 - - 800 mW
通道数 - - 1
阈值电压 - - 1.5 V
输入电容 - - 150 pF
封装 TO-92 TO-92-3 TO-92-3
长度 - 5.2 mm 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
高度 - 5.33 mm 5.33 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99