对比图
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ω; ID 17A; D-Pak (TO-252AA); PD 79WSTMICROELECTRONICS STD6NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 17.0 A 6.00 A
漏源极电阻 0.155 Ω 0.22 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 79 W 30 W
产品系列 IRLR3410 -
输入电容 800pF @25V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A, 17.0 A 3.00 A
上升时间 53.0 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 79 W 30 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 4 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
下降时间 - 3 ns
耗散功率(Max) - 30W (Tc)
长度 6.73 mm 6.6 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
宽度 - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17