BDX53B和BDX53CG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDX53B BDX53CG TIP131G

描述 STMICROELECTRONICS  BDX53B  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  BDX53CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 60 W 65 W 2000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 750 1000 @4A, 4V

额定功率(Max) 60 W 65 W 2 W

直流电流增益(hFE) 750 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 65000 mW 2000 mW

额定电压(DC) - 100 V 80.0 V

额定电流 - 8 A 8.00 A

集电极最大允许电流 - 8A 8A

长度 10.4 mm 10.28 mm -

宽度 4.6 mm 4.82 mm -

高度 9.15 mm 9.28 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 - 0.004535924 kg -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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