对比图
型号 IPB050N06NGATMA1 IPD048N06L3G NP89N055PUK-E1-AY
描述 D2PAK N-CH 60V 100A60V,4.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFETMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-2 TO-252 TO-263-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300W (Tc) - 1.8W (Ta), 147W (Tc)
漏源极电压(Vds) 60 V - 55 V
连续漏极电流(Ids) 100A - 90A
上升时间 - 5 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 6100pF @30V(Vds) - 6000pF @25V(Vds)
下降时间 - 12 ns 6 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 1.8W (Ta), 147W (Tc)
封装 TO-263-2 TO-252 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - - EAR99