对比图
型号 IRF1010ESPBF STB55NF06T4 STB60N55F3
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3Pin(2+Tab) D2PAKN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 83.0 A 50.0 A -
额定功率 170 W - -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 12 mΩ 0.015 Ω 8.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 110 W 110 W
产品系列 IRF1010ES - -
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 84.0 A 50.0 A 56.0 A, 80.0 A
上升时间 78.0 ns 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 110 W
下降时间 - 15 ns 11.5 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99