BF422和BF422,116

对比图

型号 BF422 BF422,116 BF422G

描述 高电压晶体管 High Voltage Transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE RADIALON SEMICONDUCTOR  BF422G  双极性晶体管, NPN, 250V TO-92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 830 mW 830 mW

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 - 0.05A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 830 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 830 mW 830 mW

额定电压(DC) 250 V - 250 V

额定电流 50.0 mA - 50.0 mA

直流电流增益(hFE) - - 50

长度 - 4.8 mm -

宽度 - 4.2 mm -

高度 - 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99