对比图
描述 BF862 N沟道结型场效应管 20v 10~25mA SOT-23 marking/标记 2A 前置放大器NXP BF862,215 射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷TRANSISTOR 40 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 JFET晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
额定电流 - 25 mA 25.0 mA
击穿电压 - -20.0 V -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 300 mW -
漏源极电压(Vds) - 20 V 20.0 V
漏源击穿电压 - 20 V -
栅源击穿电压 - 20 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 300 mW -
额定电压 - 20 V -
额定电压(DC) - - 20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 40.0 mA
长度 - 3 mm -
宽度 - 1.4 mm -
高度 - 1 mm -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
重量 - 0.003215970116 kg -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -