对比图
型号 IRG4RC10UD IRG4RC10UDPBF IRG4RC10UDTRLP
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3Pin (2+Tab) DPAKP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 38 W 38 W 38 W
耗散功率 - 38 W 38000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 28 ns 28 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W 38 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 38000 mW 38000 mW
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 8.50 A - -
产品系列 IRG4RC10UD - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.39 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99