对比图
型号 IXFK27N80Q SPP04N80C3 SPP08N80C3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFETINFINEON SPP08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.32 Ω 1.1 Ω 0.56 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 63 W 104 W
阈值电压 4.5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V -
连续漏极电流(Ids) 27A 4.00 A 8.00 A
上升时间 28 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 7600pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 500 W 63 W 104 W
下降时间 13 ns 12 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 63W (Tc) 104W (Tc)
额定电压(DC) - 800 V 800 V
额定电流 - 4.00 A 8.00 A
额定功率 - 63 W 104 W
长度 19.96 mm 10 mm 10.36 mm
宽度 5.13 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 26.16 mm 15.65 mm 15.95 mm
封装 TO-264-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99