对比图
型号 IRF610PBF IRFB4020PBF IRF640NPBF
描述 N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON IRFB4020PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 4.9 VINFINEON IRF640NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 36 W 100 W 150 W
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 0.1 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 36 W 100 W 150 W
阈值电压 4 V 4.9 V 4 V
输入电容 140pF @25V 1200 pF 1160 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 3.30 A 18A 18A
上升时间 17 ns 12 ns 19 ns
热阻 - - 1℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 1200pF @50V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 100 W 150 W
下降时间 8.9 ns 6.3 ns 5.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 36 W 100W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 3.30 A - -
长度 10.41 mm 10.66 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.82 mm 4.4 mm
高度 9.01 mm 9.02 mm 8.77 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -