对比图
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB9N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 500 V
额定电流 - 9.00 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 700 mΩ 0.65 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 173W (Tc) 135 W
阈值电压 - 2 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A
上升时间 - 65 ns
输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 173 W 135 W
下降时间 - 64 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 173W (Tc) 135W (Tc)
输入电容 1.03 nF -
栅电荷 35.0 nC -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99